반도체 칩이 경량화 및 고집적화 방향으로 빠르게 발전함에 따라 웨이퍼 두께는 수백 마이크론에서 수십 마이크론 수준까지 지속적으로 감소하고 있습니다. 초박형 기판은 기계 응력에 매우 취약하여 휨, 변형, 미세 크랙 등 결함이 쉽게 발생합니다. 기존 접촉식 박막 가공 장비는 기계 베어링과 가이드 레일로 구동되어 마찰 진동과 불균일한 접촉 압력 문제가 존재하며, 가공 후 웨이퍼에 잔류 응력이 크고 두께 균일도가 떨어져 고급 전력 반도체 및 첨단 패키징 공정 기준을 충족할 수 없습니다. 이에
에어 스핀들 박막 가공기가 초박형 웨이퍼 정밀 박막화 공정의 핵심 장비로 활용되고 있습니다.
본 장비는 에어 정압 스핀들 및 비접촉식 에어 가이드 레일 기술을 핵심으로 채택하여 균일한 고압 에어 필름으로 지지 운행하며, 기존 기계식 접촉 마찰 구조를 완전히 배제했습니다. 작동 과정에서 진동, 마모, 기계 응력 간섭이 전혀 없습니다. 초고안정 운동 기준을 통해 웨이퍼 모서리 깨짐, 표층 손상, 격자 왜곡 등 가공 불량을 근본적으로 차단하여 대형 초박형 실리콘 웨이퍼 및 탄화규소 웨이퍼의 정밀 박막 가공에 최적화됩니다.
고정밀 폐루프 검출 및 지능형 정압 제어 시스템을 탑재하여 웨이퍼 두께 변화를 실시간 모니터링하고, 연삭 속도와 재료 제거량을 동적으로 미세 조절하여 미량·층별·균일한 재료 제거 방식을 구현합니다. 웨이퍼 전체 두께 편차를 효과적으로 보정하고 전체 평행도와 평면도를 최적화하며, 가공 후 웨이퍼 표면은 평탄하고 균일하며 표면하 손상층이 매우 얇아 후속 연마, 본딩, 코팅 등 정밀 공정에 양질의 기반을 제공합니다.
기존 박막 가공 장비에 비해 에어 스핀들 박막 가공기는 정밀도 안정성이 강하고 수명이 길며 공정 재현성이 높은 장점이 있습니다. 장기 양산 시 정밀도 저하가 거의 발생하지 않아 웨이퍼 가공 수율을 크게 향상시킵니다. 다양한 규격의 반도체 웨이퍼 정밀 박막 가공에 호환되며 연구 개발 시제품 제작과 자동화 양산 현장에 모두 적합합니다. 무응력, 초고안정, 고정밀 핵심 성능을 바탕으로 반도체 고급 정밀 공정 업그레이드를 지속적으로 지원합니다.
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