알루미나, 질화알루미늄, 탄화규소 등 기능성 세라믹은 높은 열전도율, 절연성, 내열성, 저열팽창 특성으로 반도체 패키지 기판, 신에너지 전력 소자, 광전 센서의 핵심 기재로 사용됩니다. 세라믹 소재는 경도가 높고 취성이 강해 기존 연마 및 가공 공정으로는 마이크로 단위 평탄화만 가능하며, 가공 후 표면에 미세 스크래치, 잔류 응력, 미세 요철이 남아 고급 칩 패키징에 필요한 무결점 경면 기준을 충족할 수 없습니다. 이에
세라믹 CMP 연마기가 세라믹 초정밀 정밀 가공의 핵심 장비로 자리 잡았습니다.
CMP 화학기계 연마는 화학 부식과 기계 미세 연마의 이중 원리를 결합한 방식으로 순수 기계식 강제 제거 공정과 차별화됩니다. 전용 연마액이 세라믹 표면과 온화한 부동태 반응을 일으켜 표층 미세 돌출 구조를 연화시키고, 초미세 연마 패드로 균일한 미량 재료 제거를 진행합니다. 기판 격자 구조를 손상하지 않은 상태로 세라믹 가공물 표면의 가공 흔적, 점결함, 요철층 및 미세 결함을 효과적으로 제거하여 전면 초평탄 경면 효과를 구현합니다.
본 장비는 고강성 방진 구조와 고정밀 평면 전동 시스템을 채택하여 연마 과정이 안정적으로 운행되고 디스크 정밀도가 일정합니다. 이를 통해 박형 세라믹 기판의 휨, 모서리 깨짐, 국부적 불균일 연마 문제를 근본적으로 방지합니다. 지능형 압력 및 회전수 폐루프 제어 시스템을 탑재하여 세라믹 소재의 경도와 기판 두께에 따라 정밀 공정 파라미터를 매칭하고 재료 제거 속도를 정밀 조절하여 가공물 중심에서 가장자리까지 전면 연마 균일성을 보장합니다.
기존 연마 장비에 비해 세라믹 CMP 연마기는 가공 정밀도가 더 높고 표층 손상이 거의 없으며, 연마 후 가공물 표면 거칠기는 나노 수준에 도달하고 잔류 기계 응력이 존재하지 않아 후속 코팅, 접합, 패키징 공정의 정합 정밀도를 크게 높입니다. 각종 정밀 세라믹 기판 및 세라믹 구조 부품의 정밀 가공에 적합하며 시제품 연구개발 및 대량 양산 요구를 모두 충족합니다.
화학기계 복합 연마, 저손상, 초고평탄의 공정 장점을 바탕으로 세라믹 CMP 연마기는 경취성 세라믹 소재의 정밀 가공 난점을 완전히 해결하며, 반도체, 신에너지, 광전 산업의 고급 세라믹 부품 정밀 제조에 신뢰할 수 있는 공정 지원을 제공합니다.
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