L’assottigliamento e la lavorazione ad alta precisione dei substrati ceramici in nitruro di alluminio sono fasi fondamentali per garantire l’efficienza di dissipazione del calore e l’affidabilità dell’imballaggio dei dispositivi semiconduttori di potenza. Questo materiale ceramico duro, fragile e ad alta conducibilità termica presenta una tolleranza di lavorazione estremamente ridotta. I tradizionali processi di lappatura monolaterale sono caratterizzati da squilibri di tensione e grandi errori di posizionamento dovuti a serraggi multipli. I substrati ultrasottili lavorati presentano comunemente incurvamenti, spessori irregolari e microfratture superficiali, compromettendo direttamente l’uniformità della conduzione termica e la durata dei dispositivi. La
macchina di lappatura a doppia faccia di nitruro di alluminio adotta ottimizzazioni specifiche della struttura di processo per risolvere i problemi di precisione e resa nella finitura precisa dei substrati in nitruro di alluminio.
Dotata di una struttura di lappatura sincrona bidirezionale con dischi superiore e inferiore, la macchina supera il tradizionale metodo di lavorazione segmentata monolaterale e completa la rettifica e la livellatura sincrona di entrambe le facce del substrato in una singola operazione. Durante la lavorazione, i pezzi sono sottoposti a una sollecitazione uniforme e simmetrica su entrambi i lati, senza necessità di ribaltamento manuale o ricalibrazione del serraggio secondario. Elimina definitivamente accumuli di tensione, deformazioni superficiali e deviazioni eccessive di spessore, garantendo con precisione gli indici chiave di planarità e parallelismo dei substrati.
La macchina è equipaggiata con un sistema di trasmissione planetaria ad alta precisione e un modulo intelligente di regolazione della pressione a ciclo chiuso, che consente la regolazione fine dei parametri e l’adattamento di soluzioni di rettifica personalizzate per substrati di nitruro di alluminio di dimensioni e spessori differenti. Adottando un processo di rimozione stratificata microscopica a bassa tensione e abbandonando la lavorazione grossolana, rimuove efficacemente strati residui di sinterizzazione e difetti superficiali, preservando integralmente la struttura reticolare ceramica, prevenendo scheggiature dei bordi e microdanni e soddisfacendo i requisiti di lavorazione precisa di substrati multiformati in nitruro di alluminio.
I substrati lavorati presentano spessore uniforme, superfici piane e prive di tensioni, mantenendo inalterate le proprietà originali di alta conducibilità termica e alto isolamento senza perdite di lavorazione, rispettando pienamente i severi standard dei processi successivi di rivestimento, incollaggio e imballaggio preciso. L’apparecchiatura si adatta in modo flessibile alla prototipazione e alla produzione seriale, garantendo stabilità di precisione e ottima uniformità dei lotti. Risolve efficacemente le problematiche industriali della difficile lavorazione e della bassa resa dei substrati ceramici ultrasottili in nitruro di alluminio, fornendo una soluzione efficiente e affidabile per la lavorazione precisa dei substrati di dissipazione termica semiconduttori.
English
русский
한국어
Deutsch
español
italiano
العَرَبِيَّة