Die Dünnung und hochpräzise Bearbeitung von Aluminiumnitrid-Keramiksubstraten ist ein zentraler Prozess zur Gewährleistung der Wärmeabfuhrleistung und Packzuverlässigkeit von Halbleiter-Leistungsbauteilen. Als hochwärmeleitendes, hartes und sprödes Keramikmaterial verfügt Aluminiumnitrid über eine extrem geringe Bearbeitungstoleranz. Herkömmliche einseitige Läppverfahren weisen ungleichmäßige Kraftverhältnisse und große Positionierfehler durch mehrfaches Einspannen auf. Bearbeitete ultradünne Substrate leiden häufig unter Verzug, ungleichmäßiger Dicke und oberflächlichen Mikrorissen, welche die Wärmeleitgleichmäßigkeit und Lebensdauer der Bauteile direkt beeinträchtigen. Die
Doppelseiten-Läppmaschine für Aluminiumnitrid wurde prozessspezifisch optimiert, um Präzisions- und Ausbeuteprobleme bei der Feinbearbeitung von Aluminiumnitrid-Substraten zu lösen.
Mit einer synchronen Gegenläppstruktur aus oberer und unterer Schleifscheibe löst die Maschine das herkömmliche segmentierte Einseitenbearbeitungsverfahren ab und realisiert die gleichzeitige zweiseitige Schleifung und Ebenung von Substraten in einem einzigen Arbeitsgang. Während der Bearbeitung wirkt auf beide Seiten der Werkstücke eine gleichmäßige und symmetrische Belastung. Manuelles Wenden und erneutes Einspannen entfallen, wodurch Spannungsansammlungen, Plattenverformungen und übermäßige Dickentoleranzen grundlegend beseitigt und zentrale Präzisionswerte wie Ebenheit und Parallelität der Substrate exakt eingehalten werden.
Ausgestattet mit einem hochpräzisen Planetengetriebesystem und einem intelligenten geschlossenen Druckregelmodul ermöglicht die Maschine feine Parametereinstellungen und individuelle Schleifkonzepte für Aluminiumnitrid-Substrate unterschiedlicher Größe und Dicke. Das niederspannende Mikro-Schichtabtragverfahren ersetzt grobe Zerspanung, entfernt effizient Sinterrückstände und Oberflächenfehler und schützt gleichzeitig die keramische Gitterstruktur vollständig. Es verhindert Kantenausbrüche und Mikroschäden und erfüllt die Präzisionsbearbeitungsanforderungen von Aluminiumnitrid-Substraten unterschiedlicher Abmessungen.
Bearbeitete Substrate verfügen über eine gleichmäßige Dicke, spannungsfreie ebene Oberflächen und behalten ihre ursprüngliche Hochwärmeleitung und Hochisolation ohne bearbeitungsbedingte Verluste bei, wodurch sie den strengen Anforderungen nachfolgender Beschichtungs-, Klebe- und Präzisionspackprozesse voll entsprechen. Die Maschine ist flexibel für Musterfertigung und Massenproduktion geeignet, zeichnet sich durch stabile Bearbeitungspräzision und hohe Chargenkonsistenz aus und löst die branchenüblichen Probleme der schwierigen Bearbeitung und geringen Ausbeute ultradünner Aluminiumnitrid-Keramiksubstrate. Sie bietet eine effiziente und zuverlässige Prozesslösung für die Präzisionsbearbeitung von Halbleiter-Wärmeabfuhrsubstraten.
English
русский
한국어
Deutsch
español
italiano
العَرَبِيَّة