I criteri chiave per un assottigliamento preciso ed efficiente del wafer su una macchina per assottigliamento del retro del wafer sono una precisione di controllo dello spessore di ±1–2 μm, una variazione totale di spessore (TTV) ≤ 2 μm e l’assenza di difetti come scheggiature ai bordi, microfessure e graffi superficiali. Ciò si ottiene attraverso la collaborazione sistematica della pre-elaborazione del wafer, l’adattamento di apparecchiature e consumabili, il controllo preciso del processo e il monitoraggio della qualità in tutto il ciclo, con l’obiettivo centrale di bilanciare l’efficienza di rimozione del materiale e l’integrità del wafer.

La pre-elaborazione del wafer deve garantire che la planarità iniziale soddisfi gli standard, che il lato posteriore sia privo di impurità e strati ossidici e che il lato anteriore sia protetto (nastro UV/nastro blu ad alta adesività) per evitare danni ai pattern anteriori durante l’elaborazione. Per quanto riguarda l’apparecchiatura, il runout radiale del mandrino deve essere calibrato a ≤ 0,5 μm e la precisione di posizionamento del meccanismo di alimentazione a ≤ 0,1 μm. I consumabili devono essere adattati in fasi: mole di rettifica diamantate 500–2000# per la rettifica grossolana e mole di rettifica con legante resinoso 3000–8000# per la rettifica fine. È severamente vietata la contaminazione incrociata tra granulometrie diverse. Il sistema di raffreddamento deve essere pre-regolato per mantenere una portata stabile di 10–15 L/min.

Ha lo scopo di rimuovere efficientemente il materiale in eccesso. La velocità di rotazione del mandrino è controllata a 1500–2500 rpm, la pressione di rettifica a 0,3–0,5 MPa. Mediante rettifica rigida, lo spessore del wafer viene rapidamente ridotto al valore target +20–30 μm.

Si concentra sulla garanzia di precisione e qualità superficiale. La velocità di rotazione del mandrino viene aumentata a 3000–4000 rpm, la pressione ridotta a 0,1–0,2 MPa. Il microtaglio corregge le deviazioni di spessore e riduce la rugosità superficiale a Ra ≤ 5 nm.

La pulizia dell’officina viene mantenuta a ≥ Classe 100 durante tutto il processo per prevenire graffi causati dalla polvere. La temperatura in tempo reale è controllata a ≤ 40 ℃ per evitare microfessure dovute a sollecitazioni termiche. Gestione dei difetti: ridurre la pressione di rettifica e ispezionare la planarità della mola in caso di scheggiature ai bordi; compensare l’alimentazione tramite misurazione in linea in caso di deviazioni di spessore. L’ispezione segue un doppio standard «strumento + visivo»: misuratori di spessore laser monitorizzano lo spessore e la TTV in più punti, e microscopi ispezionano i difetti superficiali per soddisfare i requisiti del processo di packaging.