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Wie man präzises und effizientes Wafer-Dünnen auf einer Wafer-Rückseiten-Dünnschleifmaschine erreicht
2026-02-03640
Die Kernkriterien für präzises und effizientes Wafer-Dünnen auf einer Wafer-Rückseiten-Dünnschleifmaschine sind eine Dickenkontrollgenauigkeit von ±1–2 μm, eine Gesamtdickenänderung (TTV) ≤ 2 μm sowie das Fehlen von Defekten wie Kantenbruch, Mikrorissen und Oberflächenkratzern. Dies wird durch eine systematische Zusammenarbeit von Wafer-Vorverarbeitung, Anpassung von Ausrüstung und Verbrauchsmaterialien, präziser Prozesssteuerung und Qualitätsüberwachung im gesamten Prozess erreicht, wobei das Kernziel darin besteht, Materialentfernungsleistung und Wafer-Integrität auszugleichen.

1. Voraussetzungen: Vorverarbeitung und Anpassung von Ausrüstung und Verbrauchsmaterialien

Die Wafer-Vorverarbeitung muss sicherstellen, dass die Anfangsebenheit den Standards entspricht, die Rückseite frei von Verunreinigungen und Oxidschichten ist und die Vorderseite geschützt ist (hochadhäsives UV-Band/Blaues Band), um Beschädigungen der Vorderseitenmuster während der Verarbeitung zu verhindern. Bei der Ausrüstung muss der radiale Lauf der Spindel auf ≤ 0,5 μm und die Positioniergenauigkeit des Vorschubmechanismus auf ≤ 0,1 μm kalibriert werden. Verbrauchsmaterialien müssen stufenweise angepasst werden: Diamantschleifscheiben 500–2000# für das Grobschleifen und harzgebundene Schleifscheiben 3000–8000# für das Feinschleifen. Kreuzkontamination zwischen verschiedenen Körnungen ist strengstens verboten. Das Kühlsystem muss voreingestellt werden, um einen stabilen Durchfluss von 10–15 L/min aufrechtzuerhalten.

2. Kernprozess: Präzise Steuerung des stufenweisen Schleifens

2.1 Grobschleifen

Zielt auf die effiziente Entfernung von überschüssigem Material ab. Die Spindeldrehzahl wird auf 1500–2500 U/min gesteuert, der Schleifdruck auf 0,3–0,5 MPa. Durch starres Schleifen wird die Waferdicke schnell auf den Sollwert +20–30 μm reduziert.

2.2 Feinschleifen

Konzentriert sich auf die Sicherstellung von Präzision und Oberflächenqualität. Die Spindeldrehzahl wird auf 3000–4000 U/min erhöht, der Druck auf 0,1–0,2 MPa gesenkt. Mikroschneiden korrigiert Dickenabweichungen und reduziert die Oberflächenrauheit auf Ra ≤ 5 nm.

3. Qualitätskontrolle: Defektverhütung und Doppelprüfung

Die Reinheit des Werkraums wird während des gesamten Prozesses auf ≥ Klasse 100 gehalten, um staubbedingte Kratzer zu verhindern. Die Echtzeit-Temperatur wird auf ≤ 40 ℃ gesteuert, um Mikrorisse durch thermische Spannungen zu vermeiden. Defektbehandlung: Bei Kantenbruch den Schleifdruck reduzieren und die Scheibenebene überprüfen; bei Dickenabweichungen den Vorschub durch Inline-Messung kompensieren. Die Prüfung folgt einem doppelten „Instrument + visuell“-Standard: Laserdickenmessgeräte überwachen Dicke und TTV an mehreren Punkten, und Mikroskope prüfen Oberflächendefekte, um die Anforderungen des Verpackungsprozesses zu erfüllen.
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