4인치 웨이퍼는 내고온성, 고경도(모스 경도 9급), 우수한 광투과성 및 화학적 안정성으로 인해 LED 에피택시, GaN 파워 디바이스 등 분야의 핵심 기재가 되었습니다. 그 표면 가공 품질은 후속 공정의 안정성과 소자 성능을 직접 결정합니다. 사파이어 평면 연마기는 4인치 웨이퍼 정밀 가공의 핵심 장비로서, 사파이어의 경취성 특성에 맞춰 나노급 정밀도 관리를 실현해야 하며, 이는 산업화 양산을 보장하는 핵심 장비입니다.

업계 표준은 4인치 웨이퍼 연마에 대해 표면 조도 Ra≤0.1nm, 평면도 편차≤0.5μm를 충족하고 스크래치 및 잔류물이 없을 것을 엄격히 요구합니다. 사파이어 평면 연마기는 기계적 연삭과 화학적 부식의 상승 작용을 통해 케미컬 메커니컬 폴리싱(CMP) 공정을 채택하여, 가장자리 깨짐, 균열 등의 결함을 회피하고 4인치 웨이퍼 대량 가공 요구에 부합합니다.

가공 과정에서 장비는 다영역 압력 폐루프 제어를 통해 연마 압력을 정밀하게 분배하여 웨이퍼 휨 및 두께 편차를 방지합니다. 전용 연마액 및 연마 디스크와 결합하여 연마 입자 뭉침을 억제하고 표면 스크래치, 함몰 등의 결함을 줄이며 웨이퍼 표면 청정도를 확보하여 후속 에피택시 성장 요구를 충족시킵니다.

현재 이 장비는 4인치 웨이퍼 대규모 가공을 실현했으며, 온라인 검출 및 파라미터 조절 모듈을 집적하여 가공 정밀도를 안정적으로 유지하고 소모품 손실 및 재가공 비용을 절감할 수 있습니다. LED, 파워 디바이스 등 분야의 4인치 웨이퍼 가공에 신뢰할 수 있는 지원을 제공하며 관련 산업의 고품질 발전을 촉진합니다.