정밀 세라믹 기판의 나노급 평탄화 및 무손상 가공은 반도체 패키징 공정에서 소자의 열전도성, 절연성 및 안정성을 제어하는 핵심 공정입니다. 알루미나, 탄화규소, 질화알루미늄 등 경취성 세라믹 소재는 기계 가공 내성이 매우 낮습니다. 기존 연마 및 폴리싱 장비는 강제 물리 절삭 방식을 사용해 가공물 표면에 미세 은극 균열, 잔류 응력, 불균일한 스크래치가 쉽게 발생합니다. 이는 나노급 경면 정밀도를 구현하지 못할 뿐만 아니라 후속 코팅, 접합 및 패키징 효과를 저하시켜 전자 부품의 사용 안정성을 떨어뜨립니다. 경취성 세라믹 정밀 가공의 난점을 해결하기 위해
세라믹 CMP 연마기는 화학기계 복합 연마 공정을 기반으로 고급 세라믹 소재 정밀 마감 전용 핵심 장비로 활용됩니다.
본 장비는 기존 순수 기계 가공의 단점을 극복하고 화학 연화 + 미세 기계 제거의 복합 가공 방식을 채택합니다. 전용 정밀 연마액이 세라믹 소재 표면과 제어된 온화한 화학 반응을 일으켜 표면 미세 돌출 결함을 부동태화하고 연화시킵니다. 이후 초미세 고밀도 연마 패드로 균일하고 정밀한 미세 연마를 진행하여 전 과정에서 강한 충격 절삭이 발생하지 않습니다. 해당 가공 방식은 표면 버, 요철 편차, 가공 자국을 정밀 제거하고 세라믹 격자 구조의 완전성을 보존하여 진정한 무손상 초정밀 평탄 연마를 실현합니다.
고정밀 안정화 동력 전달 구조와 지능형 수치 제어 시스템을 탑재하여 연마 압력, 디스크 회전 속도, 연마액 유량 등 핵심 공정 파라미터를 정밀 조절할 수 있으며, 다양한 규격과 경도의 세라믹 가공물 맞춤 가공이 가능합니다. 저진동, 저편차 작동 특성으로 박형 기판 휨, 모서리 파손, 국부적 연마 불균일 등 문제를 효과적으로 방지하여 배치별 가공 정밀도의 균일성을 확보하고 정밀·표준화 가공 요건을 충족합니다.
자체 CMP 연마 공정 기술을 바탕으로 가공된 세라믹 가공물은 표면 거칠기가 나노급에 달하며, 표면이 평탄하고 깨끗하며 잔류 응력과 표면 손상이 전혀 없고 소재 고유의 열전도 및 절연 성능이 유지됩니다. 시제품 연구개발과 자동화 양산 라인에 유연하게 적용 가능하며, 고정밀·고양품률 장점으로 경취성 세라믹 정밀 가공의 손상 문제와 저정밀도 산업 난점을 해결하여 반도체 및 신에너지 광전자 부품의 고품질 생산에 핵심 공정 지원을 제공합니다.
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