CMP 연마기가 웨이퍼 정밀 연마의 최적 방식인 이유는 무엇입니까?

2026-05-21 · 뉴스

반도체 웨이퍼 제조의 평탄화 공정에서 기계식 연마 및 건식 연마 장비는 마이크로미터 단위의 평탄 가공만 가능하며 잔류 응력, 표면 미세 손상, 전역 균일성 저하 등 고유한 결점이 존재하여 첨단 공정의 나노미터 단위 가공 요건을 충족할 수 없습니다. 이것이 현재 고급 웨이퍼 정밀 연마에 CMP 연마기가 보편적으로 우선 선택되는 핵심 이유이며, 해당 장비의 화학기계 복합 가공 기술은 현재 웨이퍼 전역 초고평탄화를 실현할 수 있는 유일한 성숙 공정입니다.

텡위는 석영 유리 평면 연마기 애프터서비스를 통해 어떻게 고객 생산 안정성을 확보하는가?

2026-05-19 · 뉴스

석영 유리 평면 연마기는 광학 소재 분야 초정밀 평면 가공의 핵심 장비로, 전문적이고 완벽한 애프터서비스는 석영 유리 평면 연마기의 안정적인 가동을 보장하는 핵심 요소입니다. 본 장비는 운영 환경, 일상 유지보수, 고장 수리에 매우 엄격한 기준을 요구합니다. 비전문적인 유지보수는 석영 유리 평면 연마기의 정밀도를 훼손하고 사용 수명을 단축하며 생산 진도를 지연시킵니다. 체계적이고 표준화된 본사 애프터서비스 시스템만이 생산 위험

스테인리스 양면 래핑 머신은 고경도 박판 정밀 가공의 기술 난점을 어떻게 극복할까?

2026-05-15 · 뉴스

스테인리스 양면 래핑 머신은 스테인리스 재질 특성에 맞춘 정밀 유성 초정밀 래핑 설비입니다. 스테인리스의 고경도, 고인성, 낮은 열전도율, 박판 변형 용이 등 가공 고질적인 문제점을 해결해 일반 래핑 설비의 정밀도 한계를 돌파하고 박판, 밀봉 링, 밸브 플레이트, 정밀 가스켓 부품의 양면 일회 정밀 성형을 실현합니다. 본 설비는 유성 차동 전동 구조를 채택하며 상하 래핑 디스크, 태양 기어, 유성 캐리어, 인버터 구동 유닛, 정밀 항압 제어 시스템

자동 모서리 가공기는 어떻게 정밀 부품 모서리 가공의 고정밀도와 자동 적응성을 실현하는가?

2026-05-14 · 뉴스

자동 모서리 가공기는 정밀 제조 분야의 핵심 전용 장비로, 기계 서보 제어, 정밀 연삭 및 지능형 위치 결정 기술을 기반으로 금속, 세라믹, 반도체 기판 등 공작물의 버 제거, C각 모따기, R각 라운딩 일체 가공을 수행합니다. 수작업 가공을 대체하고 대량 공작물의 치수 일관성을 보장하는 핵심 장비입니다. 본 장비는 PLC 수치 제어 시스템을 제어 코어로 하여 서보 이송 기구와 고속 스핀들을 갖추고 있으며, 공압 방식으로 공작물을 정밀 위치 결정

웨이퍼 코팅 머신은 6인치 실리콘 웨이퍼 반도체 정밀 제조를 어떻게 지원하는가?

2026-05-12 · 뉴스

반도체 중저급 칩, 전력 소자 및 MEMS 센서 양산 분야에서 6인치 실리콘 웨이퍼는 가장 널리 쓰이는 기판 소재 중 하나입니다. 진공 웨이퍼 코팅 머신은 웨이퍼 공정 핵심 장비로, 6인치 실리콘 웨이퍼에 전기 특성, 보호 성능 및 가공 정밀도를 부여하는 핵심 설비이며 상호 연계 공정은 칩 안정 작동의 핵심 요소입니다.웨이퍼 코팅 머신은 PVD, CVD 두 가지 주요 기술로 웨이퍼 코팅 공정을 진행하며 전 과정 고진공 환경에서 이루어져 공기 불순물로 인

합금강 평면 연마기 고정밀 가공 기술 병목 및 돌파 경로

2026-05-08 · 뉴스

현재 합금강 평면 연마에는 세 가지 주요 기술 난점이 존재한다.첫째, 가공 변형 및 응력 제어가 어렵다. 합금강은 경도가 높고 경취성이 강하며, 연마 과정에서 마찰 열량이 많이 발생해 열변형과 내부 잔류 응력이 쉽게 생긴다. 기존 장비는 진동이 크고 연마판 온도가 불안정해 가공 후 공작물 휨, 가장자리 함몰, 표면 물결 결함이 발생하기 쉬워 전체 평면 정밀도 확보가 어렵다.둘째, 초고정밀 지표를 안정적으로 관리하기 힘들다. 일반 연마 장비는 전동 구조

12인치 실리콘 웨이퍼 나노급 거칠기를 **미러 폴리싱 머신(경면 연마기)**에서 구현하는 원리

2026-05-07 · 뉴스

12인치 실리콘 웨이퍼는 첨단 로직 칩, 메모리 칩 및 고급 집적회로 제조의 핵심 표준화 기판 소재입니다. 웨이퍼 표면 경면 연마는 반도체 전공정 및 첨단 패키징 분야에서 필수적인 초정밀 핵심 공정입니다. 웨이퍼 원기판은 절단, 박막화 및 연마 공정을 거친 후에도 표면에 가공 무늬, 미세 균열 및 응력 손상층이 잔존해 나노급 리소그래피, 박막 증착 및 미세 회로 제작의 엄격한 요건을 충족할 수 없습니다. 반드시 경면 연마 공정을 통해 전 영역 원자 단위

전자동 모따기 기계 전주기 애프터서비스 지원 체계 및 표준화 기술 서비스 규범

2026-05-05 · 뉴스

전자동 모따기 기계는 정밀 부품, 반도체 기재 및 각종 형재 정밀 가공의 핵심 장비로, 장비 운행 안정성과 유지보수 서비스 전문성은 기업의 가공 생산능력, 제품 모따기 정밀도 및 생산라인 연속 양산 효율과 직결되며 각종 정밀 가공 기업의 상시 생산 운영 핵심 지지 기반입니다. 텡위 연마는 정밀 연마 및 모따기 장비 제조 분야에 다년간 깊이 종사해 왔으며, 자사 전자동 모따기 기계가 양산 출시된 이후 업계 표준 기술 기준을 바탕으로 양산 작업 환경에

이축 웨이퍼 박막화기 산업 발전 현황 및 국내외 기술 발전 동향

2026-05-01 · 뉴스

이축 웨이퍼 박막화기는 반도체 웨이퍼 배면 초정밀 박막화 공정의 핵심 장비입니다. 이축 협동 조·정밀 연마 일체형 구조를 통해 실리콘 기반 및 3세대 반도체 웨이퍼의 저응력·고균일·고효율 두께 가공을 실현하며, 칩 패키징, 파워 디바이스 제조 및 첨단 집적 공정 분야에 널리 적용되어 반도체 후공정 정밀 가공에서 필수 불가결한 핵심 공정 장비입니다.국내 이축 웨이퍼 박막화 산업은 상대적으로 늦게 시작되었으며, 초기 고급 시장은 장기적으로 수입 장비에 전적

8인치 웨이퍼 에어플로팅 정밀 박막화 공정

2026-04-30 · 뉴스

8인치 실리콘 웨이퍼는 반도체 산업의 핵심 표준화 기판 소재로, 집적회로, 파워 디바이스, MEMS 및 광전 센서 칩 제조의 기본 핵심 매체입니다. 웨이퍼 배면 박막화는 반도체 패키징 및 집적 전 필수 핵심 공정이며, 가공 정밀도는 칩 방열 효율, 전기 전도 성능, 패키징 수율 및 장기 작동 신뢰성에 직접적인 영향을 미칩니다. Air-Spindle Grinding Machine(기압식 박막화기)는 에어플로팅 비접촉 지지 구조를 채택하여 초저진동,

세라믹 CMP 연마 산업의 발전 현황 및 추세

2026-04-28 · 뉴스

세라믹 CMP 화학기계적 연마는 고성능 구조 세라믹 및 기능성 세라믹의 초정밀 평탄화를 구현하는 핵심 공정이며, 3세대 반도체, 고주파 통신, 마이크로전자 패키징, 항공우주 고급 제조 분야에서 필수적인 기초 공정입니다. 현재 산업 전반은 수요 고도화, 공정 반복 업그레이드, 국산 대체 가속화의 발전 양상을 보입니다. 전통적인 연마 가공 방식은 고급 세라믹 기판, 세라믹 필터, 질화알루미늄, 탄화규소 세라믹 등 부품의 나노급 평면도 및 극저 표면 거

편면 연마 균일도 제어의 기술적 병목과 품질 도전과제

2026-04-24 · 뉴스

정밀 제조에서 가공물 치수 일관성 요구가 지속적으로 상승함에 따라 연마 균일도 부족은 편면 연마기의 두드러진 기술적 병목으로 자리 잡았으며, 가공 품질과 생산 수율을 직접적으로 제약하고 있다. 편면 연마기 가동 시 선기어, 유성휠, 연마판 간 고정된 운동 차이가 존재해 가공물의 연마판 위 운동 궤적에 뚜렷한 구역별 편차가 발생한다. 연마판 중심과 외연의 선속도 분포 불균일은 재료 제거 속도 불일치를 초래하며, 일반적으로 가장자리 제거량은 크고 중심